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              介電常數(shù)及介質(zhì)損耗的術語及定義

              更新時間:2020-03-20點擊次數(shù):2020

              術語和定義

              1相對電容率 relative

              permittivityC丁

              電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容 Cx與同樣電極構形的真空電

              容 C 之 比:

              … ””·············。··…(1)

              式中:E,—

              相對電容率 ;

              CX— 充有絕緣材料時電容器的電極電容;

              C— 真空中電容器的電極電容。

              在標準大氣壓下,不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率 。「等于 1.000.73。因此,用這種電極構

              形在空氣中的電容 C。來代替 C 測量相對電容率 。r時,也有足夠的精確度。

              在一個測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率 。r與真空電氣常數(shù) Eo

              的乘積

              在S1制中,電容率用法/米(F/m)表示。而且。在 SI單位中,電氣常數(shù) 。、為

              ‘。= 8.854 X1012F/mc s61a丫 10 日F廠m’“““‘。。·… … (2 )

              在本標準中,用皮法和厘米來計算電容,真空電氣常數(shù)為:Ep= 0.08854pF/cm

              介質(zhì)損耗角8dielectriclossangle

              由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。

              介質(zhì)損耗因數(shù),, dielectricdissipationfactortan8損耗角 a的正切 。

              〔介質(zhì)〕損耗指數(shù)E,該材料的損耗因數(shù)[dielectric]lossindextan8與相對電容率:r的乘積

              復相對電容率 complexrelativepermittivityE,由相對電容率和損耗指數(shù)結合而得到的:,/一 )E,E,tan8{::·····。···············,,··,···。。。… (5)············。。················… … (6)

              式中:E,一 復相對電容率;鮮— 損耗指數(shù);。:、。r一 相對電容率;tan6 一介質(zhì)損耗因數(shù)。

              注:有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容C 和電阻R,的串聯(lián)電路表示,或用電容C,和電阻R,(或電導

              G,)的并聯(lián)電路表示并聯(lián)等值電路R,((,',)串聯(lián) 等值 電路-州二二二州卜一tan占=tan6= .C.R.C,.R,G, ””‘7’

              式 中C5R}-串聯(lián) 電容串聯(lián) 電阻

              ” 有些國家用“損耗角正切”來表示“介質(zhì)損耗因數(shù)”,因為損耗的測量結果是用損耗角的正切來報告的

              ,氣一一︷。’l︸,GB/T 1409-2006CP— 并聯(lián)電容;R,— 并聯(lián)電阻。

              雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下 有時也需要以電容C,

              和電阻R,的串聯(lián)電路來表示。串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關系:C,l+ tan'&二(9)1 +tabta'ns'8R.C,R,一面mC1,R,

              式(9),(10),(I)中 C R C,,R,,tan6同式(7),(8)0

              無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法,其介質(zhì)損耗因數(shù) tans是相等的.

              假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結果,且tan'8太大而在式(9)中不能被忽略,則在計算電容率前必須先

              計算并聯(lián)電容

              本標準中的計算和側(cè)量是根據(jù)電流(田=2兀/)正弦波形作出的 

              推薦測試設備:GCSTD-D高低頻介電常數(shù)測試儀

               

               

               

              試驗方法:

              接觸法:適用于厚度均勻、上下表面平整、光滑材料

              非接觸法:適用于上下表面不平整、不光滑材料

              電極類型:固定電極-測量電極φ38mm/φ50mm(標配電極1套,標配為38mm)

                        液體電極-液體容量15ml

                        粉體電極-根據(jù)樣品量可配電極

              試樣類型:固體、液體、粉體、膏體/規(guī)則物或者不規(guī)則物

              性能特點

              ■ 測試頻率20Hz~2MHz,10mHz步進 
              ■ 測試電平10mV~5V, 1mV步進 
              ■ 基本準確度0.1%
              ■ 高達200次/s的測量速度 
              ■ 320×240點陣大型圖形LCD顯示 
              ■ 五位讀數(shù)分辨率 
              ■ 可測量22種阻抗參數(shù)組合
              ■ 四種信號源輸出阻抗                                           
              ■ 10點列表掃描測試功能 
              ■ 內(nèi)部自帶直流偏置源 
              ■ 外置偏流源至40A(配置兩臺TH1776)(選件)
              ■ 電壓或電流的自動電平調(diào)整(ALC)功能 
              ■ V、I測試信號電平監(jiān)視功能 
              ■ 圖形掃描分析功能 
              ■ 20組內(nèi)部儀器設定可供儲存/讀取 
              ■ 內(nèi)建比較器,10檔分選及計數(shù)功能 
              ■ 多種通訊接口方便用戶聯(lián)機使用                                 
              ■ 2m/4m測試電纜擴展(選件)
              ■ 中英文可選操作界面 
              ■ 可通過USB HOST 自動升級儀器工作程序 

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